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参数资料
型号： FGB20N60SFD
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： IGBT N-CH 20A 600V D2PAK
标准包装： 800
IGBT 类型： 场截止
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 2.8V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 40A
功率 - 最大： 208W
输入类型： 标准
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装： TO-263AB
包装： 带卷 (TR)
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC (IGBT)
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Typ.
-
Max.
0.6
Unit
o C / W
R ? JC (Diode)
Thermal Resistance, Junction to Case
-
2.6
o
C / W
R ? JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient (PCB Mount)(2)
-
40
o C / W
Notes:
2: Mounted on 1” square PCB (FR4 or G-10 material)
Package Marking and Ordering Information
Part Number
Top Mark
Package Packing Method
Reel Size
Tape Width
Quantity
D -PAK
FGB20N60SFD
FGB20N60SFD
2
Reel
13” Dia
N/A
800
Electrical Characteristics of the IGBT
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV CES
Collector to Emitter Breakdown Voltage V GE = 0 V, I C = 250 ? A
600
-
-
V
? BV CE S
? T J
I CES
I GES
Temperature Coefficient of Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
G-E Leakage Current
V GE = 0 V, I C = 250 ? A
V CE = V CES , V GE = 0 V
V GE = V GES , V CE = 0 V
-
-
-
0.6
-
-
-
250
±400
V/ o C
? A
nA
On Characteristics
V GE(th)
V CE(sat)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter Saturation Voltage
I C = 250 ? A, V CE = V GE
I C = 20 A , V GE = 15 V
I C = 20 A , V GE = 15 V,
T C = 125 o C
4.0
-
-
5.0
2.2
2.4
6.5
2.8
-
V
V
V
Dynamic Characteristics
C ies
Input Capacitance
-
940
-
pF
C oes
C res
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V CE = 30 V , V GE = 0 V,
f = 1 MHz
-
-
110
40
-
-
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
Turn-On Delay Time
Rise Time
-
-
13
16
-
-
ns
ns
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
t d(on)
t r
t d(off)
t f
E on
E off
E ts
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
V CC = 400 V, I C = 20 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 25 o C
V CC = 400 V, I C = 20 A,
R G = 10 ? , V GE = 15 V,
Inductive Load, T C = 125 o C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
24
0.37
0.16
0.53
12
16
95
28
0.4
0.28
0.69
-
48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
ns
mJ
mJ
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
mJ
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGB20N60SFD Rev. C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FGB7N60UNDF IGBT NPT 600V 14A D2PAK
相关代理商/技术参数
参数描述
FGB20N6S2 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGB20N6S2D 功能描述:IGBT 晶体管 Comp N-Ch 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGB20N6S2DT 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGB20N6S2T 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGB3040CS 功能描述:马达/运动/点火控制器和驱动器 IGBT EcoSPARK 300mJ 400V NCh Cur Sen Ign RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Stepper Motor Controllers / Drivers 类型:2 Phase Stepper Motor Driver 工作电源电压:8 V to 45 V 电源电流:0.5 mA 工作温度:- 25 C to + 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:HTSSOP-28 封装:Tube
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