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参数资料
| 型号： | FGB3236_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH IGNITION 360V D2PAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | EcoSPARK™ |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 360V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.4V @ 4V，6A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 44A |
| 功率 - 最大： | 187W |
| 输入类型： | 逻辑 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
October 20 13
FGB3236_F085 / FGI3236_F085
EcoSPARK
Features
320mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT
Applications
SCIS Energy = 320mJ at T J = 25 C
Industry Standard D 2 -Pak package
o
Logic Level Gate Drive
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Package
E
Automotive lgnition Coil Driver Circuits
Coil On Plug Applications
GATE
EMITTER
COLLECTOR
G
JEDEC TO-263AB
D 2 -Pak
COLLECTOR
(FLANGE)
TO262AB
FDI SERIES
@2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGB3236_F085 / FGI3236_F085 Rev. A 1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGB40N60SM | IGBT NPT 600V 80A D2PAK |
| FGB5N60UNDF | IGBT NPT 600V 10A D2PAK |
| FGB7N60UNDF | IGBT NPT 600V 14A D2PAK |
| FGD3040G2 | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
| FGD4536TM | IGBT PDP 360V 50A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGB40N60SM | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A FIELD STOP PLANAR IGBT GEN2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB40N6S2 | 功能描述:IGBT 晶体管 Sgl 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB40N6S2T | 功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS II Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB5N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 5A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGB7N60UNDF | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 7A NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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