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参数资料
型号： FGD3040G2
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 1/10页
文件大小： 0K
描述： IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK
标准包装： 2,500
系列： EcoSPARK™
电压 - 集电极发射极击穿（最大）： 400V
Vge, Ic时的最大Vce（开）： 1.25V @ 4V，6A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）： 23.2A
功率 - 最大： 150W
输入类型： 逻辑
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装： TO-252-3
包装： 带卷 (TR)
July 2013
FGD3040G2_F085
EcoSPARK ? 2 300mJ, 400V, N-Channel Ignition IGBT
Features
SCIS Energy = 300mJ at T J = 25 o C
Logic Level Gate Drive
Qualified to AEC Q101
RoHS Compliant
Package
GATE
Applications
Automotive lgnition Coil Driver Circuits
Coil On Plug Applications
EMITTER
COLLECTOR
JEDEC TO-252
D-Pak
@2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FGD3040G2_F085 Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FGD3040G2_F085 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGD3440G2 功能描述:IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:EcoSPARK™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
FGD3440G2_F085 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
FGD3N60LSD 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT
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