- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录429 > FGD3040G2 (Fairchild Semiconductor)IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FGD3040G2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | EcoSPARK™ |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 400V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.25V @ 4V，6A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 23.2A |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 输入类型： | 逻辑 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Dynamic Characteristics
T J = 25 C
Q G(ON)
V GE(TH)
V GEP
Gate Charge
Gate to Emitter Threshold Voltage
Gate to Emitter Plateau Voltage
I CE = 10A, V CE = 12V,
V GE = 5V
I CE = 1mA, V CE = V GE,
V CE = 12V, I CE = 10A
o
T J = 150 o C
-
1.3
0.75
-
21
1.7
1.2
2.8
-
2.2
1.8
-
nC
V
V
Switching Characteristics
V GE = 5V, R G = 1K Ω
T J = 25 o C,
V GE = 5V, R G = 1K Ω
I CE = 6.5A, T J = 25 o C,
t d(ON)R
t rR
t d(OFF)L
t fL
Current Turn-On Delay Time-Resistive V CE = 14V, R L = 1 Ω
Current Rise Time-Resistive
Current Turn-Off Delay Time-Inductive V CE = 300V, L = 1mH,
Current Fall Time-Inductive
-
-
-
-
0.9
1.9
4.8
2.0
4
7
15
15
μ s
μ s
μ s
μ s
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance Junction to Case
-
-
1
o C/W
Tj=25 o C; L=3mHy, I SCIS =14.2A,V CC =100V during inductor charging and V CC =0V during the time in clamp .
Tj=150 o C; L=3mHy, I SCIS =10.8A,V CC =100V during inductor charging and V CC =0V during the time in clamp .
Notes:
1: Self Clamping Inductive Switching Energy (E SCIS25 ) of 300 mJ is based on the test conditions that starting
2: Self Clamping Inductive Switching Energy (E SCIS150 ) of 170 mJ is based on the test conditions that starting
@2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FGD3040G2_F085 Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGD4536TM | IGBT PDP 360V 50A DPAK |
| FGH20N60SFDTU | IGBT 600V 40A TO-247 |
| FGH20N60UFDTU | IGBT 600V 40A TO-247 |
| FGH25N120FTDS | IGBT 1200V 25A FIELD STOP TO-247 |
| FGH30N60LSDTU | IGBT SWITCHING 600V 60A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGD3040G2_F085 | 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGD3440G2 | 功能描述:IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:EcoSPARK™ 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件 |
| FGD3440G2_F085 | 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGD3N60LSD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT |
| FGD3N60LSD_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:IGBT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。