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参数资料
| 型号： | FGD3040G2 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT N-CH IGNITION 400V DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | EcoSPARK™ |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 400V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 1.25V @ 4V，6A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 23.2A |
| 功率 - 最大： | 150W |
| 输入类型： | 逻辑 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Curves
T J = 25 C
100
R G = 1K Ω , V GE = 5V, V CE = 100V
o
45
40
35
R G = 1K Ω , V GE = 5V, V CE = 100V
30
T J = 150 C
T J = 25 C
10
o
25
20
15
o
10
T J = 150 C
1
1
SCIS Curves valid for V clamp Voltages of <430V
10 100
t CLP , TIME IN CLAMP ( μ S)
1000
5
0
0
o
SCIS Curves valid for V clamp Voltages of <430V
3 6 9 12
L, INDUCTANCE (mHy)
15
Figure 1. Self Clamped Inductive Switching
Current vs. Time in Clamp
Figure 2. Self Clamped Inductive Switching
Current vs. Inductance
1.20
1.15
V GE = 3.7V
V GE = 4.0V
I CE = 6A
1.50
1.45
1.40
V GE = 4.0V
I CE = 10A
1.35
V GE = 3.7V
1.10
1.05
V GE = 8V
V GE = 5V
V GE = 4.5V
1.30
1.25
1.20
V GE = 8V
V GE = 5V
V GE = 4.5V
1.15
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( C )
T J , JUNCTION TEMPERTURE ( C )
1.00
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
o
Figure 3. Collector to Emitter On-State Voltage
vs. Junction Temperature
1.10
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
o
Figure 4. Collector to Emitter On-State Voltage
vs. Junction Temperature
30
20
10
V GE = 8.0V
V GE = 5.0V
V GE = 4.5V
V GE = 4.0V
V GE = 3.7V
30
20
10
V GE = 8.0V
V GE = 5.0V
V GE = 4.5V
V GE = 4.0V
V GE = 3.7V
T J = -40 C
T J = 25 C
0
0
1 2 3
o
4
0
0
1 2 3
o
4
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 5. Collector to Emitter On-State Voltage
vs. Collector Current
V CE , COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 6. Collector to Emitter On-State Voltage
vs. Collector Current
@2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FGD3040G2_F085 Rev.C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGD3040G2_F085 | 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 300mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| FGD3440G2_F085 | 功能描述:IGBT 晶体管 EcoSPARK2 335mJ 400V N-Chan Ignition IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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