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参数资料
| 型号： | FGH40N60SMDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 349W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
T C = 25 C
Figure 13. Turn-off Characteristics vs.
Gate Resistance
1000
t d(off)
Figure 14. Turn-on Characteristics vs.
Collector Current
1000
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6 ?
o
T C = 150 C
100
100
o
t r
t f
10
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
10
t d(on)
T C = 25 C
I C = 40A
o
T C = 150 C
1
0
10 20 30
o
40
50
1
20
30
40
50
60
70
80
Gate Resistance, R G [ ? ]
Figure 15. Turn-off Characteristics vs.
Collector Current
1000
Collector Current, I C [A]
Figure 16. Switching Loss vs.
Gate Resistance
5
E on
t d(off)
100
1
T C = 25 C
T C = 150 C
T C = 25 C
T C = 150 C
10
t f
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6 ?
o
o
E off
Common Emitter
V CC = 400V, V GE = 15V
I C = 40A
o
o
1
20
30
40 50 60
Collector Current, I C [A]
70
80
0.1
0
10
20 30
Gate Resistance, R G [ ? ]
40
50
Figure 17. Switching Loss vs.
Collector Current
6
Figure 18. Turn off Switching
SOA Characteristics
200
100
E on
1
E off
Common Emitter
V GE = 15V, R G = 6 ?
10
T C = 25 C
T C = 150 C
V GE = 15V, T C = 150 C
o
o
Safe Operating Area
o
0.1
20
30
40
50
60
70
80
1
1
10
100
1000
Collector Current, I C [A]
Collector-Emitter Voltage, V CE [V]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60SMDF Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH40N60SMD | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH40N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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| FGH40N65UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT |
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