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参数资料
| 型号： | FGH40N60SMDF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT 600V 40A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| IGBT 类型： | 场截止 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 600V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.5V @ 15V，40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 80A |
| 功率 - 最大： | 349W |
| 输入类型： | 标准 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristics
100
Figure 20. Reverse Current
1000
T C = 150 C
T C = 150 C
o
100
o
10
T C = 75 C
T C = 75 C
10
o
1
o
T C = 25 C
o
0.1
T C = 25 C
T C = 25 C
T C = 75 C ----
T C = 150 C
o
o
o
0.01
o
1
0
0.5
1.0 1.5 2.0
2.5
1E-3
0
100
200 300 400
500
600
Forward Voltage, V F [V]
Figure 21. Stored Charge
350
300
Reverse Voltage, V R [V]
Figure 22. Reverse Recovery Time
120
250
200A/ ? s
100
di F /dt = 100A/ ? s
200
80
150
100
di F /dt = 100A/ ? s
60
200A/ ? s
50
0
5
10
15 20 25 30
35
40
40
5
10
15
20
25
30
35
40
Forwad Current, I F [A]
Forward Current, I F [A]
Figure 23.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.1
0.2
0.01
0.006
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak T j = Pdm x Zthjc + T C
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH40N60SMDF Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGH40N60SMD | IGBT 600V 80A 349W TO-247-3 |
| FGH40N60UFDTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N60UFTU | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO-247 |
| FGH40N65UFDTU | IGBT 80A 650V TO-247 |
| FGH40T100SMD | IGBT N-CH 1000V 80A TO-247-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FGH40N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 40A Field Stop IGBT |
| FGH40N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| FGH40N65UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:650V, 40A Field Stop IGBT |
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