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参数资料
| 型号： | FMP76-010T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET MOD N/P-CH 100V I4-PAC |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Trench™ |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 62A，54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W，132W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | i4-Pac?-5 |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS i4-PAC? |
| 包装： | 管件 |
FMP76-01T
Symbol Test Conditions 2
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i4-Pak TM Outline
BV DSS
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
- 100
V
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0V
- 2.0
- 4.0
± 100
V
nA
I DSS
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
-15 μ A
- 750 μ A
R DS(on)
V GS = -10V, I D = - 38A, Note 1
24 m Ω
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = -10V, I D = - 38A, Note 1
V GS = 0V, V DS = - 25V, f = 1MHz
Resistive Switching Times
35
58
13.7
890
275
25
S
nF
pF
pF
ns
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
V GS = -10V, V DS = 0.5
R G = 1 Ω (External)
V DSS , I D = - 38A
40
52
20
197
ns
ns
ns
nC
Q gs
V GS = -10V, V DS = 0.5 V DSS , I D = - 38A
65
nC
Q gd
R thJC
R thCS
65
0.15
nC
0.95 ° C/W
° C/W
Ref: IXYS CO 0077 R0
Drain-Source Diode
Symbol Test Conditions 2
Characteristic Values
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = - 38A, V GS = 0V, Note 1
I F = - 38A, di/dt = 100A/ μ s
V R = - 50V, V GS = 0V
70
215
-6
- 54
- 304
- 1.3
A
A
V
ns
nC
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FN2TB | LAMP NEON T2 END TYPE WIRE BLUE |
| FP10993_LISA2-W-PIN | LENS FOR LUXEON REBEL |
| FP10996_LISA2-W-PIN | LENS/HOLDER POS PINS CREE XP |
| FP10998_LISA2-M-PIN | LENS FOR NICHIA N119 |
| FP11073_LISA2-W-CLIP | LENS FOR LUXEON REBEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FMPA2151 | 功能描述:射频放大器 WLAN 802.11 A/B/G POWER AMPL RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
| FMPA2151_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:2.4-2.5GHz and 4.9-5.9GHz Dual Band Linear Power Amplifier Module |
| FMPA2300 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:2.3-2.4GHz WiMax/WiBro Linear Power Amplifier |
| FMPDC-MB89V201-BD | 制造商:FUJITSU 功能描述:MB89F202 Development Board (Using with MSE1001C Board) |
| FMPDC-MB89V480-101-BD | 制造商:FUJITSU 功能描述:MB89P485 Development Board (Using with MSE1001C Board) 制造商:FUJITSU 功能描述:development board |
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