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参数资料
| 型号： | FODM8801B |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | OptoHit™ |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 65% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 360% @ 1mA |
| 输出电压： | 75V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 20mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SOIC（0.170"，4.40mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FODM8801BFS |
Ordering Information
Part Number
FODM8801A
FODM8801B
FODM8801C
FODM8801 x
FODM8801 x R2
FODM8801 x V
FODM8801 x R2V
Current Transfer Ratio (CTR %) Option, I F = 1 mA, V CE = 5 V
80% to 160%
130% to 260%
200% to 400%
Packing Method
Tube (100 units per tube)
Tape and Reel (2500 units per reel)
Tube (100 units per tube), DIN/EN IEC60747-5-5
Tape and Reel (2500 units per reel), DIN/EN IEC60747-5-5
All packages are lead free per JEDEC: J-STD-020B standard.
“ x ” denotes the Current Transfer Ratio option. For example, FODM8801 A R2 is a phototransistor with
80% to 160% CTR in tape and reel packaging.
Marking Information
1
8801x
2
V X YY
M
6
De?nitions
3
4
5
1
2
3
4
5
6
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
Fairchild logo
Device number, ‘x’ denotes CTR% option (A, B, or C)
VDE mark (Note: Only appears on parts ordered with
DIN/EN IEC60747-5-5 option – See order entry table)
One-digit year code, e.g., ‘1’ represents the year 2011
Two-digit work week ranging from ‘01’ to ‘53’
Assembly package code
11
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FODM8801BR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BR2V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BV | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801C | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801CR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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