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参数资料
| 型号： | FODM8801B |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | OptoHit™ |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 65% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 360% @ 1mA |
| 输出电压： | 75V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 20mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SOIC（0.170"，4.40mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FODM8801BFS |
Test Circuits
+5V
Pulse Generator:
I F
+
1
4
V O
R L = 4.7kΩ
V O Monitoring Node
tr = 5ns
Z O = 50Ω
PW = 50μs
DC = 1%
I F Monitor
2
3
GND
R M
(I F = 1.6mA)
Input Pulse
t R
t F
Output Pulse
90%
10%
V OL
5V
t ON
t OFF
Figure 15. Test Circuit for Propagation Delay, Rise Time, and Fall Time
+5V
I F
+
R L = 4.7kΩ
1
4
V O Monitoring Node
SW
2
3
GND
R M
V CM
Pulse Gen
V CM 90%
10%
V O (I F = 0mA)
V O (I F = 1.6mA)
1kV
0V
V OH
2V
0.8V
V OL
Figure 16. Test Circuit for Instantaneous Common-Mode Rejection Voltage
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
9
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHE175041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.54MM |
| OSTHE174041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.5MM |
| 926883-1 | CONN PIN 14-20AWG TIN CRIMP |
| OSTHT060080 | TERMINAL BLOCK 5MM 6POS PCB |
| 222I,AL | BOX 4.10X2.60X2.00 9V ALMOND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FODM8801BR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BR2V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BV | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801C | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801CR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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