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参数资料
| 型号： | FODM8801B |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | OptoHit™ |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 65% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 360% @ 1mA |
| 输出电压： | 75V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 20mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SOIC（0.170"，4.40mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FODM8801BFS |
Typical Performance Curves (Continued)
100
V CE = 5V
I F = 20mA
40
35
T A = 25°C
I F = 10mA
30
10
I F = 5.0mA
I F = 15mA
I F = 3.0mA
25
I F = 20mA
I F = 1.6mA
I F = 1.0mA
20
I F = 10mA
1.0
I F = 0.5mA
15
I F = 5mA
10
5
I F = 1mA
0.1
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0
0
1
2
3
4
5
100000
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 9. Collector Current vs.
Ambient Temperature
1000
V CE – COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (V)
Figure 10 Collector Current vs.
Collector-Emitter Voltage
V CE = 5V
10000
1000
V CE = 75V
V CE = 48V
100
T A = 25°C
I F = 1.6mA
t OFF
t F
100
10
1
0.1
V CE = 10V
V CE = 24V
V CE = 5V
10
1
t R
t ON
0.01
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0.1
100
10
100
0.35
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 11. Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
R L – LOAD RESISTANCE (k Ω )
Figure 12. Switching Time vs. Load Resistance
300
V CE = 5V, I F = 3mA
0.30
0.25
I F = 1.6mA, I C = 1.6mA
250
V CE = 5V, I F = 1mA
V CE = 5V, I F = 1.6mA
0.20
200
V CE = 0.4V, I F = 1mA
0.15
I F = 3.0mA, I C = 1.8mA
150
V CE = 0.4V, I F = 1.6mA
V CE = 0.4V, I F = 3mA
0.10
100
0.05
0.00
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
50
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 13. Collector-Emitter Saturation Voltage
vs. Ambient Temperature
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
8
T A – AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 14. Current Transfer Ration vs.
Ambient Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHE175041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.54MM |
| OSTHE174041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.5MM |
| 926883-1 | CONN PIN 14-20AWG TIN CRIMP |
| OSTHT060080 | TERMINAL BLOCK 5MM 6POS PCB |
| 222I,AL | BOX 4.10X2.60X2.00 9V ALMOND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FODM8801BR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BR2V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BV | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801C | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801CR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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