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参数资料
| 型号： | FODM8801B |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | OPTO PHOTOTRANSISTOR 4-MINIFLAT |
| 标准包装： | 100 |
| 系列： | OptoHit™ |
| 通道数： | 1 |
| 输入类型： | DC |
| 电压 - 隔离： | 3750Vrms |
| 电流传输比（最小值）： | 65% @ 1mA |
| 电流传输比（最大）： | 360% @ 1mA |
| 输出电压： | 75V |
| 电流 - 输出 / 通道： | 30mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 20mA |
| Vce饱和（最大）： | 400mV |
| 输出类型： | 晶体管 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SOIC（0.170"，4.40mm） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FODM8801BFS |
Tape and Reel Dimensions
K 0
t
W 1
P 0
A 0
P 2
B 0
D 0
F
E
W
d
P
1.27 Pitch
D 1
Description
Tape Width
Tape Thickness
Sprocket Hole Pitch
Sprocket Hole Diameter
Sprocket Hole Location
Pocket Location
Pocket Pitch
Pocket Dimension
Pocket Hole Diameter
Cover Tape Width
Cover Tape Thickness
Symbol
W
t
P 0
D 0
E
F
P 2
P
A 0
B 0
K 0
D 1
W 1
d
Dimensions (mm)
12.00 +0.30 / -0.10
0.30 ± 0.05
4.00 ± 0.10
1.50 +0.10 / -0.0
1.75 ± 0.10
5.50 ± 0.10
2.00 ± 0.10
8.00 ± 0.10
2.80 ± 0.10
7.30 ± 0.10
2.30 ± 0.10
1.50 Min.
9 .20
0.065 ± 0.010
Max. Component Rotation or Tilt
Devices Per Reel
Reel Diameter
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FODM8801X Rev. 1.1.2
12
10 ° Max.
2500
330 mm (13")
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OSTHE175041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.54MM |
| OSTHE174041 | CONN TERM BLOCK 17POS 2.5MM |
| 926883-1 | CONN PIN 14-20AWG TIN CRIMP |
| OSTHT060080 | TERMINAL BLOCK 5MM 6POS PCB |
| 222I,AL | BOX 4.10X2.60X2.00 9V ALMOND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FODM8801BR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BR2V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 VDE tested, OptoHiT Hi Temp Phototranstr RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801BV | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Series; Hi Temp Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801C | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 OptoHiT Phototrans 75V 1-Ch CTR 400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| FODM8801CR2 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 HighTem PhotoXsistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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