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参数资料
| 型号： | FQA170N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.6 毫欧 @ 85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 290nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
10
8.0 V
7.0 V
6.0 V
2
10
10
10
10
2
1
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1
0
175 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
7
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics.
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics.
10
10
10
6
5
4
V GS = 10V
V GS = 20V
2
1
0
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
3
0
200
400
600
800
-1
0. 2
0.4
0.6
0.8
1. 0
1.2
1. 4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage.
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
24000
20000
16000
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
V DS = 30V
V DS = 48V
12000
8000
4000
C iss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
2
※ Note : I D = 170A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
40
80
120
160
200
240
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics.
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate -Charge Characteristics.
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA170N06 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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