参数资料
型号: FQA170N06
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 170A TO-3P
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
标准包装: 30
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 170A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.6 毫欧 @ 85A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 290nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9350pF @ 25V
功率 - 最大: 375W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQA170N06 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
FQA19N60 MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
FQA24N60 MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
FQA27N25 MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P
FQA28N15_F109 MOSFET N-CH 150V 33A TO-3P
FQA30N40 MOSFET N-CH 400V 30A TO-3P
相关代理商/技术参数
参数描述
FQA170N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-3P
FQA170N06 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSITOR
FQA17N40 功能描述:MOSFET 400V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA17P10 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQA18N50V 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET