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参数资料
| 型号： | FQB12P20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 470 毫欧 @ 5.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB12P20TMDKR |
Typical Characteristics
V GS
Top :
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
10
10
1
-7.0 V
-6.5 V
1
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
150 ℃
10
10
0
0
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-1
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
2.0
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1.5
V GS = - 10V
1
10
V GS = - 20V
1.0
0
0.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
10
20
30
40
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2400
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1600
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
※ Notes :
10
8
V DS = -40V
V DS = -100V
V DS = -160V
1200
800
C oss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
4
C rss
400
0
2
0
※ Note : I D = -11.5 A
10
10
10
-1
0
1
0
5
10
15
20
25
30
35
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
?200 8 Fairchild Semiconductor International
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
Rev. A 1 , Oct 200 8
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PDF描述 |
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