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参数资料
| 型号： | FQB34N20LTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 31A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 75 毫欧 @ 15.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 72nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQB34N20LTMDKR |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※ Notes :
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 17 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Operation in This Area
35
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
is Limited by R DS(on)
1 ms
100 μ s
30
25
20
10
1
DC
10 ms
15
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
10
5
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t) = 0 .7 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ J C ( t)
0 .0 5
0 .0 2
P DM
10
-2
0 .0 1
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB34N20L Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB34N20TM_AM002 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| FQB34P10TM_F085 | MOSFET P-CH 100V 33.5A D2PAK |
| FQB44N10TM | MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK |
| FQB4N80TM | MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK |
| FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB34N20LTM_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB34N20TM | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB34N20TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB34P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQB34P10_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET MOSFET |
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