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参数资料
| 型号： | FQB50N06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB50N06TMFSDKR |
Typical Characteristics
Top :
V GS
15.0 V
10
10
10
10
2
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
2
1
175 ℃
※ Notes :
25 ℃
※ Notes :
10
0
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
1. V DS = 30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
8
10
10
0.05
0.04
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.03
0.02
0.01
V GS = 20V
1
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.00
10
0
50
100
I D , Drain Current [A]
150
200
0
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.4
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
3000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
2500
10
V DS = 30V
2000
1500
1000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
V DS = 48V
C rss
2
500
0
※ Note : I D = 50A
0
0
5
10
15
20
25
30
35
10
10
10
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB50N06 / FQI50N06 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB55N10TM | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
| FQB5N90TM | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK |
| FQB7N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
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| FQB7P20TM_F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB55N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQB55N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB55N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:155W ;RoHS Compliant: Yes |
| FQB55N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK |
| FQB55N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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