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参数资料
| 型号： | FQB7P20TM_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 690 毫欧 @ 3.65A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB7P20TM_F085DKR |
QFET
November 200 9
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? 2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB7P20TM_F085 Rev.A
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
| FQB8N60CTM | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
| FQB8P10TM | MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
| FQD10N20LTF | MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK |
| FQD11P06TF | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB85N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQB85N06TM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FQB85N06TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB8N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FQB8N25TM | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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