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参数资料
| 型号： | FQB50N06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB50N06TMFSDKR |
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V DD
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB50N06 / FQI50N06 Rev. C 1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB55N10TM | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
| FQB5N90TM | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK |
| FQB7N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
| FQB7N80TM_AM002 | MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK |
| FQB7P20TM_F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB55N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQB55N06TM | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB55N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:155W ;RoHS Compliant: Yes |
| FQB55N10 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D2-PAK |
| FQB55N10TM | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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