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参数资料
| 型号： | FQB55N10TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2730pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQB55N10TMDKR |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 27.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
60
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
3
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
50
10
10
2
1
DC
10 ms
1 ms
100 μ s
10 μ s
40
30
20
10
0
※ Notes :
1. T C = 25 C
o
10
10
10
2. T J = 175 C
10
10
-1
0
o
3. Single Pulse
1
2
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 0 . 9 7 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c t o r , D = t 1 /t 2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ JC (t)
0 .0 5
10
-2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB55N10 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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