- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录432 > FQB5N90TM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQB5N90TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 欧姆 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263-2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQB5N90TMDKR |
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB5N90 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQB7N60TM_WS | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
| FQB7N80TM_AM002 | MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK |
| FQB7P20TM_F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
| FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
| FQB8N60CTM | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQB5P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
| FQB5P10TM | 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB5P20 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:200V P-Channel MOSFET |
| FQB5P20TM | 功能描述:MOSFET 200V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQB60N03L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PWM Optimized Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。