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参数资料
| 型号： | FQB7N60TM_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1 欧姆 @ 3.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1430pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
10
10
10
10
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.5 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
0
150
10
10
10
10
10
-1
-1
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T C = 25
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
25
4
Notes :
-55 1. V DS = 50V
2. 250 s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
2.5
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2.0
V GS = 10V
1
V GS = 20V
1.5
10
1.0
0.5
0
Note : T J = 25
150
25
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 s Pulse Test
10
0.0
0
5
10 15
I D , Drain Current [A]
20
25
-1
0.2
0.4
0.6 0.8
V SD , Source-Drain voltage [V]
1.0
1.2
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2000
1600
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
8
1200
C oss
6
800
400
C rss
Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
Note : I D = 7.4A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15 20 25
Q G , Total Gate Charge [nC]
30
35
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB7N60 / FQI7N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FQB7P20TM | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FQB7N65CTM | 功能描述:MOSFET 650V 7A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQB7N80TM_AM002 | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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