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参数资料
| 型号： | FQD11P06TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 185 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
1.2
1.1
(Continued)
2.5
2.0
1.5
1.0
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -4.7 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
10
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
8
10
1
10 ms
1 ms
6
10
DC
4
0
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
2
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
D = 0 .5
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 3 .2 8 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD11P06 / FQU11P06 Rev. C 2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD12N20LTF | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK |
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| FQD13N06TM | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK |
| FQD16N25CTM_F080 | MOSFET N-CH 250V 16A DPAK |
| FQD17P06TF | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD11P06TM | 功能描述:MOSFET TO-252 DPAK P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD1200MK5 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Hybrid analog/digital video module |
| FQD1216LME/I H-5 | 功能描述:射频模块 FM TUNER RoHS:否 制造商:Linx Technologies 产品:Transceiver Modules 频带:902 MHz to 928 MHz 输出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口类型:UART 工作电源电压:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 传输供电电流:38.1 mA 接收供电电流:22.7 mA 天线连接器类型:U.FL 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm |
| FQD1216LME/I V-5 | 功能描述:射频模块 FM TUNER RoHS:否 制造商:Linx Technologies 产品:Transceiver Modules 频带:902 MHz to 928 MHz 输出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口类型:UART 工作电源电压:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 传输供电电流:38.1 mA 接收供电电流:22.7 mA 天线连接器类型:U.FL 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm |
| FQD1216LME/P H-5 | 功能描述:射频模块 FM TUNER RoHS:否 制造商:Linx Technologies 产品:Transceiver Modules 频带:902 MHz to 928 MHz 输出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口类型:UART 工作电源电压:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 传输供电电流:38.1 mA 接收供电电流:22.7 mA 天线连接器类型:U.FL 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm |
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