参数资料
型号: FQD11P06TF
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 6/9页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
标准包装: 2,000
系列: QFET™
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 185 毫欧 @ 4.7A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 550pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
V GS
R G
pl
Comp i m ent of DUT
(N-C hannel)
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
I RM
di/ /dt
wa
I FM , Body D i ode F orw r d C u r r ent
V SD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
V DD
10V
V DD
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD11P06 / FQU11P06 Rev. C 2
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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