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参数资料
| 型号： | FQD17P06TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 12A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQD17P06TFDKR |
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same T y pe
as DUT
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
V DD
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
ode urr entt
I FM , Body Diod e F o r w a rd C rren
/dtt
di/d
10V
I RM
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
V DS
( DUT )
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
V SD
V DD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
Figure 15 . Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD17P06 / FQU17P06 Rev C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FQD20N06LTF | MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FQD17P06TM | 功能描述:MOSFET 60V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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