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参数资料
| 型号： | FQD18N20V2TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQD18N20V2TM
Top Mark
DV218N20
Package
DPAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 200 V, V GS = 0 V
V DS = 160 V, T C = 125°C
V GS = 30 V, V DS = 0 V
V GS = -30 V, V DS = 0 V
200
--
--
--
--
--
--
0.25
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th) Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = 250 μ A
3.0
--
5.0
V
R DS(on)
g FS
Static Drain-Source
On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = 10 V, I D = 7.5 A
V DS = 40 V, I D = 7.5 A
--
--
0.12
11
0.14
--
?
S
Dynamic Characteristics
C iss Input Capacitance
C oss Output Capacitance
C rss Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
830
200
25
1080
260
33
pF
pF
pF
C oss
C oss eff.
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
V DS = 160 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
V DS = 0V to 160 V, V GS = 0 V
--
--
70
135
--
--
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on) Turn-On Delay Time
t r Turn-On Rise Time
t d(off) Turn-Off Delay Time
t f Turn-Off Fall Time
V DD = 100 V, I D = 18 A,
R G = 25 ?
(Note 4 )
--
--
--
--
16
133
38
62
40
275
85
135
ns
ns
ns
ns
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DS = 160 V, I D = 18 A,
V GS = 10 V
(Note 4 )
--
--
--
20
5.6
10
26
--
--
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
15
A
I SM
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
60
A
V SD
t rr
Q rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 15 A
V GS = 0 V, I S = 18 A,
dI F / dt = 100 A/ μ s
--
--
--
--
158
1.0
1.5
--
--
V
ns
μ C
Notes:
1. Repetitive r ating : p ulse - width limited by maximum junction temperature .
2. L = 1.58 mH, I AS = 18 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, s tarting T J = 25°C .
3. I SD ≤ 18 A, di/dt ≤ 200 A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, s tarting T J = 25°C .
4. Essentially independent of operating temperature .
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD18N20V2 Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
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