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参数资料
| 型号： | FQD18N20V2TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 15A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 140 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
V GS
Top :
15.0 V
10.0 V
10
10
1
8.0 V
7.0 V
6.5 V
1
150 ℃
6.0 V
10
0
Bottom :
5.5 V
25 ℃
-55 ℃
10
0
※ Notes :
10
-1
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
4
5
6 7 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
9
10
0.5
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
0.4
0.3
0.2
V GS = 10V
V GS = 20V
1
10
0.1
0
150 ℃
25 ℃
10
0.0
0
10
20 3 0 4 0
I D , Drain Current [A]
※ Note : T J = 25 ℃
50
60
-1
0.2
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V SD , Source-Drain Voltage [V]
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
1.6
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
2500
2000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
1500
※ Notes :
1. V GS = 0 V
8
1000
C oss
C iss
2. f = 1 MHz
6
4
500
C rss
2
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
5
10 15
Q G , Total Gate Charge [nC]
※ Note : I D = 18A
20
25
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD18N20V2 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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