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参数资料
| 型号： | FQD1N60CTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 1A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1
Top :
V GS
15.0 V
10
1
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
150 C
25 C
-55 C
10
0
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
o
o
o
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
-1
10
0
10
1
10
0
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
10
12
1
10
8
10
6
4
V GS = 10V
0
150 ℃
25 ℃
V GS = 20V
2
※ Note : T J = 25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
800
700
600
500
400
300
C oss
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
6
4
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
200
100
C rss
※ Note ;
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 10A
0
10
-1
10
0
10
1
0
0
2
4
6
8
10
12
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD1N60C / FQU1N60C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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