- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录432 > FQD2P40TM (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQD2P40TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 400V 1.56A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.56A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 780mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
0
Top :
V GS
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
10
10
Bottom : -5.5 V
0
150 ℃
-1
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
12
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
V GS = - 10V
10
8
V GS = - 20V
0
6
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
4
0
1
2
3
4
5
6
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
600
500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -80V
V DS = -200V
400
300
C iss
8
6
V DS = -320V
200
100
C oss
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = -2.0 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
2
4
6
8
10
12
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD2P40 Rev. C 0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD30N06TM | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3 |
| FQD3P50TM_F085 | MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK |
| FQD4N20TF | MOSFET N-CH 200V 3A DPAK |
| FQD5N60CTM_F080 | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK |
| FQD5P10TF | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD30 | 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TOUCH FINDER DC PS |
| FQ-D30 | 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:TOUCH FINDER, DC PS 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:TOUCH FINDER DC PS 制造商:Omron Electronic Components LLC 功能描述:Touch Finder, DC PS 制造商:OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION 功能描述:Touch Finder, DC PS |
| FQD30N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQD30N06_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQD30N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。