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参数资料
| 型号： | FQD30N06TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 11.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 945pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
!
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
10
10
1
1
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
10
10
10
10
10
0
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
0
1
0
2
4
-55 ℃
6
1. V DS = 25V
2. 250 μ s Pulse Test
8
10
100
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
60
V GS = 10V
10
40
V GS = 20V
1
20
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
20
40
6 0
80
100
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current and
Temperature
2000
1500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 30V
V DS = 48V
1000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
500
C rss
2
※ Note : I D = 30A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
4
8 12
Q G , Total Gate Charge [nC]
16
20
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD30N06 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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