参数资料
型号: FQD30N06TM
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
标准包装: 2,500
系列: QFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 22.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫欧 @ 11.4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 945pF @ 25V
功率 - 最大: 2.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: TO-252,(D-Pak)
包装: 带卷 (TR)
12V
200nF
50K Ω
300nF
Same Type
as DUT
V GS
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = L I AS2 --------------------
----
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2 BV DSS - V DD
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQD30N06 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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