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参数资料
| 型号： | FQD3N50CTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 365pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1
V GS
10
1
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
Bottom : 5.0 V
150 ° C
10
10
0
0
25 ° C
-55 ° C
Note
10
-1
Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
2. T C = 25 ° C
1
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
8.0
7.5
7.0
6.5
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
V GS = 10V
V GS = 20V
0
3.0
2.5
2.0
Note : T J = 25 ° C
150 ° C
25 ° C
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
1.5
0
2
4
6
8
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
600
400
200
C iss
C oss
C rss
C rss = C gd
Note ;
1. V GS = 0 V
10
8
6
4
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
2. f = 1 MHz
2
Note : I D = 3A
0
0
10
10
10
-1
0
1
0
5
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQU3N50C Rev C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PB-12631WG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
| FQA13N50CF_F109 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P |
| SRF2012-161Y | INDUCTOR COMMON MODE 160 OHM 25% |
| ASG-P-X-B-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 2.5V LVPECL SMD |
| ASG-P-X-A-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 3.3V LVPECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD3N50CTM | 功能描述:MOSFET 500V N-CHA NNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD3N50CTM_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:3A/500V MOS-FET |
| FQD3N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQD3N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQD3N60CTF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
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