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参数资料
| 型号： | FQD3N50CTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK |
| 产品变化通告： | Passivation Material Change 14/May/2008 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 1.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 365pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 35W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
(Continued)
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
0.9
Notes :
1.5
1.0
0.8
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
0.0
Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 1.5 A
-100
-50
0
50
100
150
200
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
2
Operation in This Area
3
10
is Limited by R DS(on)
1
100 μ s
1 ms
2
10
10
0
-1
Notes :
1. T C = 25 ° C
2. T J = 150 ° C
3. Single Pulse
10 ms
100 ms
DC
1
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
3
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ ° C]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
N o te s :
1 . Z θ JC (t) = 3 .5 ° C /W M ax.
2 . D uty F ac to r, D = t 1 /t 2
3 . T JM - T C = P D M * Z θ JC (t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
sin gle p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
- 2
10
- 5
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a ve P u ls e D u ra tio n [s e c ]
?20 0 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQU3N50C Rev C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PB-12631WG | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 6A 125V |
| FQA13N50CF_F109 | MOSFET N-CH 500V 15A TO-3P |
| SRF2012-161Y | INDUCTOR COMMON MODE 160 OHM 25% |
| ASG-P-X-B-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 2.5V LVPECL SMD |
| ASG-P-X-A-1.24416GHZ-T | OSC 1.24416 GHZ 3.3V LVPECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQD3N50CTM | 功能描述:MOSFET 500V N-CHA NNEL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQD3N50CTM_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:3A/500V MOS-FET |
| FQD3N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQD3N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQD3N60CTF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
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