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参数资料
| 型号： | FQI19N20TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 9.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Package Marking and Ordering Information
Part Number
FQB19N20TM
Top Mark
FQB19N20
Package
D 2 -PAK
Packing Method
Tape and Reel
Reel Size
330 mm
Tape Width
24 mm
Quantity
800 units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted.
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V DS = 160 V, I D = 19.4 A,
V GS = 10 V
(Note 4)
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Notes:
1. Repetitive rating : pulse-width limited by maximum junction temperature.
2. L = 1. 0 mH, I AS = 19.4 A, V DD = 50 V, R G = 25 ?, starting T J = 25°C.
3. I SD ≤ 19.4 A, di/dt ≤ 300 A/ μ s , V DD ≤ BV DSS, starting T J = 25°C.
4. Essentially independent of operating temperature.
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB19N20 Rev. C 1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FQI1P50TU | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI20N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
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