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参数资料
| 型号： | FQI19N20TU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 19.4A I2PAK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 9.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
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?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FQB19N20 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI1P50TU | MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK |
| FQI27N25TU_F085 | MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK |
| FQI27P06TU | MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK |
| FQI34P10TU | MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK |
| FQI47P06TU | MOSFET P-CH 60V 47A I2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI1N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQI1P50 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V P-Channel MOSFET |
| FQI1P50TU | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI20N06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET |
| FQI20N06L | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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