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参数资料
| 型号： | FQI5N60CTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change Notification 26/June/2007 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 欧姆 @ 2.25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.13W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
1
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
1
10
150 C
-55 C
10
25 C
0
6.0 V
5.5 V
5.0 V
Bottom : 4.5 V
0
o
o
o
10
-1
10
10
10
10
10
-2
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-1
2
4
※ Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
6
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
5
4
V GS = 10V
1
10
3
0
2
V GS = 20V
150 ℃
1
※ Note : T J = 25 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0
2
4
6
8
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
1000
800
600
C iss
C oss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
8
6
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
400
※ Notes ;
4
200
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = 4.5A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
4
8
Q G , Total Gate Charge [nC]
12
16
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQI5N60C Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQI9N50CTU | MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK |
| FQL40N50F | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 |
| FQL40N50 | MOSFET N-CH 500V 40A TO-264 |
| FQN1N50CBU | MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 |
| FQN1N60CBU | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQI5N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET |
| FQI5N80TU | 功能描述:MOSFET 800V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI5N90 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:900V N-Channel MOSFET |
| FQI5N90TU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQI5P10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:100V P-Channel MOSFET |
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