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参数资料
| 型号： | FQN1N50CBU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-92 Pkg |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 380mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 欧姆 @ 190mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 195pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 供应商设备封装： | TO-92-3 |
| 包装： | 散装 |
12V
200nF
50K Ω
300nF
Samee T y pe
as DUT
V GS
10V
Q g
IG = const.
V GS
DUT
V DS
Q gs
Q gd
Char rge
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
V GS
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
on)
t d(on )
t on
t r
t d(oof f )
t ofofff
t f
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = -- -- L I AS 2 --------------------
2 BV DS S - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
I D (t)
DSS
V GS
t p
DUT
V DD
t p
me
Tim
V DS (t)
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?200 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FQN1N50C Rev C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQN1N60CBU | MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92 |
| FQNL2N50BBU | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L |
| FQP10N20CTSTU | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| FQP12P20 | MOSFET P-CH 200V 11.5A TO-220 |
| FQP13N06L | MOSFET N-CH 60V 13.6A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQN1N50CTA | 功能描述:MOSFET N-CH/400V/5 0A/0.075OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQN1N60C | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V N-Channel MOSFET |
| FQN1N60CBU | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQN1N60CTA | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQN1N60CTAG | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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