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参数资料
| 型号： | FQP3P20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
1
Top :
V GS
-15.0 V
1
10
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
0
10
10
-1
Notes :
1. 250 s Pulse Test
2. T C = 25
0
150
25
-55
Notes :
1. V DS = -40V
2. 250 s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
10
10
8
6
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
0
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
4
2
Note : T J = 25
150
25
Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 s Pulse Test
10
0
0
2
4
-I D , Drain Current [A]
6
8
-1
0.4
0.8
1.2 1.6 2.0
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
2.4
2.8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = -40V
V DS = -100V
300
C iss
8
V DS = -160V
C oss
6
200
C rss
Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
100
2
Note : I D = -2.8 A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP3P20 Rev. C 0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FQP3P50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
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