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参数资料
| 型号： | FQP3P20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7 欧姆 @ 1.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 52W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 A
0.5
Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -1.4 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
3.0
2.5
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
1
1 ms
100 μ s
2.0
10 ms
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
Notes :
o
o
3. Single Pulse
DC
1.5
1.0
0.5
10
10
10
10
-2
0
1
2
0.0
25
50
75
100
125
150
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
0
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
N o te s :
1 . Z J C ( t) = 2 .4 /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z J C ( t)
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s i n g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 ,
q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP3P20 Rev. C 0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP3P50 | MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP3P50 | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP3P50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| FQP3P50_Q | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP44N08 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP44N10 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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