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参数资料
| 型号： | FQP3P50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.9 欧姆 @ 1.35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 85W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
10
1
0
V GS
Top :
-15.0 V
-10.0 V
-8.0 V
-7.0 V
-6.5 V
-6.0 V
Bottom : -5.5 V
1
10
10
-1
0
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
1. V DS = -50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
10
-2
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
8
7
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = - 10V
1
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
6
5
4
V GS = - 20V
0
3
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
2
0
2
4
-1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1200
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
1000
C rss = C gd
10
V DS = -100V
V DS = -250V
800
600
C iss
8
6
V DS = -400V
C oss
400
※ Notes :
1. V GS = 0 V
4
200
C rss
2. f = 1 MHz
2
※ Note : I D = -2.7 A
0
0
10
10
10
-1
0
1
0
2
4
6
8
10
1 2
1 4
16
1 8
20
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP3P50 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP3P50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P TO-220 |
| FQP3P50_Q | 功能描述:MOSFET 500V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FQP44N10F | 功能描述:MOSFET N-CH/100V/43 .5A/0.039OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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