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参数资料
| 型号： | FQP50N06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 41nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQP50N06-ND FQP50N06FS |
Package Dimensions
TO-220
1.27 ± 0.10
9.90 ± 0.20
(8.70)
?3.60 ± 0.10
1.52 ± 0.10
4.50 ± 0.20
+0.10
1.30 –0.05
2.54TYP
[2.54 ± 0.20 ]
0.80 ± 0.10
2.54TYP
[2.54 ± 0.20 ]
+0.10
0.50 –0.05
2.40 ± 0.20
10.00 ± 0.20
Dimensions in Millimeters
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, March 2003
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQP55N10 | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 |
| FQP65N06 | MOSFET N-CH 60V 65A TO-220 |
| FQP6N40C | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 |
| FQP6N70 | MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220 |
| FQP70N10 | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQP50N06 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220 |
| FQP50N06L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQP50N06L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FQP50N06L_EPKE0003 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQP50N06L_Q | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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