- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录434 > FQP9P25 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQP9P25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 620 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 120W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQP9P25-ND FQP9P25FS |
Figure 12 . Gate Charge Test Circuit & Waveform
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
-10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
-3mA
I G = const .
Charge
Figure 13 . Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V DS
R L
t on
t off
R G
V GS
V DD
V GS
10%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
GS
-10V
DUT
V DS
90%
Figure 14 . Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
V DS
L
1
2
I D
t p
Time
GS
-10V
R G
DUT
V DD
V DD
I AS
I D (t)
V DS (t)
t p
BV DSS
? 2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP9P25 Rev. C0
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF10N50CF | MOSFET N-CH 500V 10A TO-220F |
| FQPF11N40CT | MOSFET N-CH 400V 10.5A TO-220F |
| FQPF11P06 | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F |
| FQPF13N06L | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F |
| FQPF13N50CF | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF 5N40 | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
| FQPF 6N90C | 制造商:Fairchild Semiconductor 功能描述:Bulk |
| FQPF10N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF10N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N TO-220F |
| FQPF10N20C | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。