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参数资料
型号： FQPF11P06
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/8页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
产品培训模块： High Voltage Switches for Power Processing
标准包装： 50
系列： QFET™
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 8.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 175 毫欧 @ 4.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 550pF @ 25V
功率 - 最大： 30W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3 整包
供应商设备封装： TO-220F
包装： 管件
其它名称： FQPF11P06-ND
FQPF11P06FS
Elerical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = -250 μ A
I D = -250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = -60 V, V GS = 0 V
V DS = -48 V, T C = 150°C
V GS = -25 V, V DS = 0 V
V GS = 25 V, V DS = 0 V
-60
--
--
--
--
--
--
-0.07
--
--
--
--
--
--
-1
-10
-100
100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10 V, I D = -4.3 A
-2.0
--
--
0.14
-4.0
0.175
V
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = -30 V, I D = -4.3 A
(Note 4)
--
4.75
--
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = -25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
420
195
45
550
250
60
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = -30 V, I D = -5.7 A,
R G = 25 ?
V DS = -48 V, I D = -11.4 A,
V GS = -10 V
(Note 4, 5)
(Note 4, 5)
--
--
--
--
--
--
--
6.5
40
15
45
13
2.0
6.3
25
90
40
100
17
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
-8.6
-34.4
A
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = -8.6 A
V GS = 0 V, I S = -11.4 A,
--
--
--
83
-4.0
--
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
0.26
--
μ C
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 2.5mH, I AS = -8.6A, V DD = -25V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ -11.4A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF11P06 Rev. C0
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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FQPF19N10 MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
相关代理商/技术参数
参数描述
FQPF12N20 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF12N20L 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF12N60 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF12N60C 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF12N60C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 600V 12A TO-220F
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