- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录434 > FQPF11P06 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQPF11P06 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 4.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF11P06-ND FQPF11P06FS |
Typical Characteristics
1.2
(Continued)
2.5
2.0
1.1
1.5
1.0
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = -250 μA
0.5
※ Notes :
1. V GS = -10 V
2. I D = -5.7 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
o
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
10
o
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
10
2
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1 ms
8
10
1
10 ms
6
10
100 ms
DC
4
0
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
2
10
10
10
10
-1
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
175
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
D = 0 .5
10
0
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 5 .0 ℃ /W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 / t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
10
-1
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF11P06 Rev. C0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF13N06L | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220F |
| FQPF13N50CF | MOSFET N-CH 500V 13A TO-220F |
| FQPF16N15 | MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F |
| FQPF17N40 | MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F |
| FQPF19N10 | MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF12N20 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF12N20L | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF12N60 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF12N60C | 功能描述:MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF12N60C | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 600V 12A TO-220F |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。