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参数资料
| 型号： | FQPF47P06YDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
March 2013
FQPF47P06 / FQPF47P06YDTU
P -Channel QFET ? MOSFET
-60 V, -30 A, 26 m Ω
Description
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor ? ’s proprietary
planar stripe and DMOS technology. This advanced
MOSFET technology has been especially tailored to
reduce on-state resistance, and to provide superior
switching performance and high avalanche energy
strength. These devices are suitable for switched mode
power supplies, audio amplifier, DC motor control, and
variable switching power applications.
Features
? - 30 A, -60 V, R DS(on) = 26 mΩ(Max.) @V GS =-10 V, I D =- 15 A
? Low G ate C harge ( Typ. 84 nC)
? Low Crss ( Typ. 320 pF)
? 100% A valanche T ested
? 175°C Maximum Junction Temperature Rating
S
!
G !
●
●
? ▲
●
GD S
TO-220F
!
D
Absolute Maximum Ratings
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FQPF47P06 / FQPF47P06YDTU
-60
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25°C)
- Continuous (T C = 100°C)
-30
-21.2
A
A
I DM
Drain Current
- Pulsed
(Note 1)
-120
A
V GSS
Gate-Source Voltage
± 25
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Power Dissipation (T C = 25°C)
- Derate above 25°C
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
820
-30
6.2
-7.0
62
0.41
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/°C
T J , T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 " from case for 5 seconds
-55 to +175
300
°C
°C
Thermal Characteristics
Symbol
R θ JC
R θ JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Typ
--
--
Max
2.42
62.5
Unit
°C / W
°C / W
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF47P06 / FQPF47P06YDTU Rev. C0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQPF5N40 | MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F |
| FQPF5N60CYDTU | MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F |
| FQPF5N90 | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F |
| FQPF5P20 | MOSFET P-CH 200V 3.4A TO-220F |
| FQPF65N06 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQPF4N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N20L | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N25 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N50 | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQPF4N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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