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参数资料
| 型号： | FQPF47P06YDTU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
10
10
10
10
10
2
1
V GS
Top :
- 15.0 V
- 10.0 V
- 8.0 V
- 7.0 V
- 6.0 V
- 5.5 V
- 5.0 V
Bottom : - 4.5 V
※ Notes :
2
1
0
175 ℃
25 ℃
-55 ℃
※ Notes :
10
0
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
1. V DS = -30V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
0.10
0.08
-V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
2
-V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
0.06
0.04
V GS = - 10V
V GS = - 20V
1
0
0.02
※ Note : T J = 25 ℃
175 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
100
200
300
400
-1
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
8000
-I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
-V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
7000
6000
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
V DS = -30V
5000
4000
C oss
C iss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
8
6
V DS = -48V
2. f = 1 MHz
3000
2000
1000
0
C rss
4
2
0
※ Note : I D = -47 A
10
10
10
-1
0
1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 5. Capacitance Characteristics
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF47P06 / FQPF47P06YDTU Rev. C0
Q G , Total Gate Charge [nC]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FQPF4N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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