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参数资料
| 型号： | FQPF9P25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 620 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1180pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FQPF9P25-ND FQPF9P25FS |
+
V DS
DUT
I SD
Driver
_
L
D = - -- --------- -------- ----- -
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V DS
( DUT )
V GS
R G
pl
Comp i m ent of DUT
(N-C hannel)
? d v / dt c o ntr ro l l e d b y R G
ri
? I SD c ont tr oll led by pul ls e per od
Gate P uls e W i d t h
Gate Pul s e Per i od
Body D i ode R e v e r s e C u r r ent
I RM
di/ /dt
wa
I FM , Body D i ode F orw r d C u r r ent
V SD
Body D i o d e
tag
Forw ward V olt age Drop
V DD
10V
V DD
ode er /dtt
Body Diod e R e cove y dv/d
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?200 0 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF9P25 Rev. C 0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQS4901TF | MOSFET N-CH DUAL 400V 0.45A 8SOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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