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参数资料
| 型号： | FQT1N60CTF_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT1N60CTF_WSDKR |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
+
V
DS
_
I
SD
L
D r iv e r
V
GS
R
G
S am e T ype
as DUT
? d v / d t c o n t r o lle d b y R G
V
DD
? I S D c o n t r o lle d b y p u ls e p e r io d
D = --------------------------
V GS
( D r iv e r )
I SD
( DUT )
G a te P u ls e W id t h
G a t e P u ls e P e r io d
I F M , B o d y D io d e F o r w a r d C u r r e n t
d i/d t
10V
I R M
B o d y D io d e R e v e r s e C u r r e n t
V DS
( DUT )
B o d y D io d e R e c o v e r y d v / d t
V
SD
V
DD
B o d y D io d e
F o r w a r d V o lta g e D r o p
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT1N60C Rev. C0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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