- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录435 > FQT1N60CTF_WS (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FQT1N60CTF_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 200mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.5 欧姆 @ 100mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.2nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FQT1N60CTF_WSDKR |
Mechanical Dimensions
SOT-223
3.00 ± 0.10
MAX1.80
+0.04
0.06 –0.02
(0.95)
2.30 TYP
4.60 ± 0.25
0.70 ± 0.10
(0.95)
+0.10
0.25 –0.05
0 ° ~
10
°
6.50 ± 0.20
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT1N60C Rev. C0
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT3P20TF_SB82100 | MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4 |
| FQT4N20LTF | MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223 |
| FQT4N25TF | MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223 |
| FQT5P10TF | MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223 |
| FQT7N10LTF | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT1N80 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FQT1N80TF | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FQT1N80TF_WS | 功能描述:MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT1N80TFWS | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FQT26N03L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 5.9A I(D) | SOT-223 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。