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参数资料
| 型号： | FQT7N10LTF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-223 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 850mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 290pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FQT7N10LTFDKR |
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
/ ? T J
I DSS
I GSSF
I GSSR
Drain-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage Current, Forward
Gate-Body Leakage Current, Reverse
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, Referenced to 25°C
V DS = 100 V, V GS = 0 V
V DS = 80 V, T C = 125°C
V GS = 20 V, V DS = 0 V
V GS = -20 V, V DS = 0 V
100
--
--
--
--
--
--
0.1
--
--
--
--
--
--
1
10
100
-100
V
V/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source
On-Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 10 V, I D = 0.85 A
V GS = 5 V, I D = 0.85 A
1.0
--
--
0.275
0.300
2.0
0.35
0.38
V
?
g FS
Forward Transconductance
V DS = 30 V, I D = 0.85 A
(Note 4)
--
2.75
--
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 25 V, V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
--
--
--
220
55
12
290
72
15
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V DD = 50 V, I D = 7.3 A,
R G = 25 ?
V DS = 80 V, I D = 7.3 A,
V GS = 5 V
(Note 4, 5)
(Note 4, 5)
--
--
--
--
--
--
--
9
100
17
50
4.6
1.0
2.6
30
210
45
110
6.0
--
--
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
I SM
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
--
--
1.7
6.8
A
A
V SD
t rr
Drain-Source Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = 1.7 A
V GS = 0 V, I S = 7.3 A,
--
--
--
70
1.5
--
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
dI F / dt = 100 A/ μ s
(Note 4)
--
140
--
nC
Notes:
1. Repetitive Rating : Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 26mH, I AS = 1.7A, V DD = 25V, R G = 25 ?, Starting T J = 25°C
3. I SD ≤ 7.3A, di/dt ≤ 300A/ μ s, V DD ≤ BV DSS, Starting T J = 25°C
4. Pulse Test : Pulse width ≤ 300 μ s, Duty cycle ≤ 2%
5. Essentially independent of operating temperature
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FQT7N10L Rev. C0
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQT7N10TF | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223 |
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| FQU13N06LTU_WS | MOSFET N-CH 60V 11A IPAK |
| FQU1N80TU | MOSFET N-CH 800V 1A IPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FQT7N10LTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET 100V 1.7A SOT-223 |
| FQT7N10LTF-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FQT7N10L Series 100 V 0.35 Ohm Surface Mount N-Channel Mosfet - SOT-223 |
| FQT7N10TF | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FQT7P06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V P-Channel MOSFET |
| FQT7P06TF | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/03 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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